品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@25V
连续漏极电流:35A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN230ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:625mW€5.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21900pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€68.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1574pF@25V
连续漏极电流:7A€40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-60MLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.45V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2191pF@30V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC031N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:4V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60P06-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5814pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD053N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€83W
阈值电压:2.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@30V
连续漏极电流:18A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138BKSX
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21900pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€156W
阈值电压:2.8V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@30V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCTL295N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8350pF@30V
连续漏极电流:295A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€61W
阈值电压:4V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035pF@30V
连续漏极电流:17A€71A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2104}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD079N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@34µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":957,"15+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK754R7-60E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6230pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: