采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA72N30X3
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：4.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@36A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA36N30P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：347W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：2040pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA59N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4670pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@29.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA26N30X3
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@13A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2250，"MI+"：1350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA38N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：38.4A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@19.2A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF300P227
工作温度：-55℃~175℃
功率：313W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4893pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@30A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA38N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：38.4A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@19.2A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB38N30U
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：374}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA44N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：43.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@21.75A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2530N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@150mA，0V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA72N30X3
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：4.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@36A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2250，"MI+"：1350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA38N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：38.4A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@19.2A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：374}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA44N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：43.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@21.75A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2250，"MI+"：1350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA38N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：38.4A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@19.2A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC13DN30NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@150V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@16A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA38N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：38.4A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@19.2A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA38N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：38.4A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@19.2A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
