品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17506Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1650pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17304Q3
导通电阻:7.5mΩ@17A,8V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:6.6nC@4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:15A€56A
输入电容:955pF@15V
ECCN:EAR99
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
导通电阻:30mΩ@4A,8V
类型:N沟道
功率:2.3W
栅极电荷:2.7nC@4.5V
阈值电压:1.8V@250µA
输入电容:340pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:13nC@5V
类型:N沟道
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17573Q5BT
功率:3.2W€195W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:64nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@35A,10V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
输入电容:9000pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3069L-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:309pF@15V
栅极电荷:8.1nC@10V
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:30mΩ@4A,10V
连续漏极电流:5.3A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3418
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
输入电容:270pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:3.2nC@4.5V
连续漏极电流:3.8A
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17576Q5BT
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:4430pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:2mΩ@25A,10V
栅极电荷:32nC@4.5V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":1992000,"MI+":6000}
规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
导通电阻:30mΩ@4A,8V
类型:N沟道
功率:2.3W
栅极电荷:2.7nC@4.5V
阈值电压:1.8V@250µA
输入电容:340pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
连续漏极电流:14A€73A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
功率:3W
栅极电荷:5.2nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17573Q5BT
功率:3.2W€195W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:64nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@35A,10V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
输入电容:9000pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2310pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:60A
导通电阻:4.2mΩ@18A,10V
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17310Q5A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.1mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
连续漏极电流:21A€100A
类型:N沟道
输入电容:1560pF@15V
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17304Q3
导通电阻:7.5mΩ@17A,8V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:6.6nC@4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:15A€56A
输入电容:955pF@15V
ECCN:EAR99
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17304Q3
导通电阻:7.5mΩ@17A,8V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:6.6nC@4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:15A€56A
输入电容:955pF@15V
ECCN:EAR99
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
连续漏极电流:14A€73A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
功率:3W
栅极电荷:5.2nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17505Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
输入电容:1980pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
导通电阻:30mΩ@4A,8V
类型:N沟道
功率:2.3W
栅极电荷:2.7nC@4.5V
阈值电压:1.8V@250µA
输入电容:340pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17577Q3AT
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2310pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.8W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:35A
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:13nC@5V
类型:N沟道
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@4.5V
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
输入电容:2630pF@15V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4368DY-T1-E3
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:8340pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:80nC@4.5V
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS32310
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15350pF@15V
导通电阻:1.05mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:60A€400A
栅极电荷:240nC@10V
功率:6.2W€400W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4922BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
输入电容:2070pF@15V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@5A,10V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:8A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:14A€44A
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
栅极电荷:5.1nC@4.5V
ECCN:EAR99
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17576Q5B
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:4430pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
类型:N沟道
栅极电荷:68nC@10V
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:2mΩ@25A,10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:13nC@5V
类型:N沟道
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@4.5V
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
输入电容:2630pF@15V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS32310
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15350pF@15V
导通电阻:1.05mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:60A€400A
栅极电荷:240nC@10V
功率:6.2W€400W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17505Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
输入电容:1980pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: