首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 30V
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    工作温度: -50℃~150℃
    当前匹配商品:70+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS5U13TR

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:900mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    导通电阻:110mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@15V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@15V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4407SSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4407SSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4407SSS-13

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.45W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2246pF@15V

    连续漏极电流:9.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:11mΩ@12A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS5U13TR

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:900mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    导通电阻:110mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P-Channel

    导通电阻:16mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS5U13TR

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:900mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    导通电阻:110mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@15V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@15V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS5U13TR

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:900mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    导通电阻:110mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4407SSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4407SSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4407SSS-13

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.45W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2246pF@15V

    连续漏极电流:9.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:11mΩ@12A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@15V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS5U13TR

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:900mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    导通电阻:110mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4407SSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4407SSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4407SSS-13

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.45W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2246pF@15V

    连续漏极电流:9.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:11mΩ@12A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS5U13TR

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:900mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    导通电阻:110mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4407SSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4407SSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4407SSS-13

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.45W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2246pF@15V

    连续漏极电流:9.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:11mΩ@12A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4407SSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4407SSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4407SSS-13

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.45W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2246pF@15V

    连续漏极电流:9.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:11mΩ@12A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧