品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":2480}
规格型号(MPN):SPD50N03S207GBTMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
输入电容:2170pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:46.5nC@10V
阈值电压:4V@85µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SCG-13
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:6.8mΩ@11.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:2826pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:56W
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:2400pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:6mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:680pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:7.7nC@4.5V
连续漏极电流:50A
导通电阻:9mΩ@16A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
功率:4.8W€57W
工作温度:-50℃~150℃
栅极电荷:140nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:5250pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":610000,"09+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0348DPA-00#J0
栅极电荷:34nC@4.5V
连续漏极电流:50A
漏源电压:30V
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
输入电容:5.1nF@10V
类型:1个N沟道
功率:55W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC50P03B-TP
功率:83W
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:6464pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:111.7nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:1930pF@15V
功率:3.7W€52W
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:680pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:7.7nC@4.5V
连续漏极电流:50A
导通电阻:9mΩ@16A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1900pF@15V
类型:N沟道
功率:47W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:5125pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:135nC@10V
功率:5W€48W
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3
功率:57W
输入电容:4660pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:55nC@4.5V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:5.1mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: