品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€23W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4915}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMD6N03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.29W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8602M-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4807
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6350-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5936DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4740,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":22000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
工作温度:150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":127500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV19XNEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4807
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":127500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV19XNEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J332R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV19XNEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J332R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5403DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1340pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5936DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: