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    30V
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    ECCN: EAR99
    漏源电压: 30V
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:1300+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSTATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSTATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€115W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6300pF@15V

    连续漏极电流:39A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1324pF@15V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C01NWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C01NWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.84W€161W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10144pF@15V

    连续漏极电流:49A€319A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB55XNEAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB55XNEAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB55XNEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:550mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:255pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E2R7-30B,127
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E2R7-30B,127

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":973}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E2R7-30B,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6212pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:241
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S207ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S207ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:459
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2900,"13+":770}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4810NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12V

    连续漏极电流:9A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1781
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010ET30
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010ET30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":24000,"MI+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010ET30

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:30A€174A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:299
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订1158个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订1158个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":55,"06+":1394,"07+":5579,"08+":632817,"11+":2190,"14+":5000,"16+":4400,"17+":900,"MI+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6294

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1158
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-30YLC,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-30YLC,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:26W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:521pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":265,"10+":63975}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4815NH-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.26W€32.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:845pF@12V

    连续漏极电流:6.9A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3562
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3002LPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3002LPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3002LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€136W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€14.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:10.1A€22.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C10NWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C10NWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:993pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6294

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:962
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD040N03LGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD040N03LGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD040N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4809NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4809NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":11480}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4809NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@11.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1283
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA470EEJ-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA470EEJ-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA470EEJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    连续漏极电流:2.25A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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