销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@15V
连续漏极电流:9.8A€35A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3234pF@15V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@15V
连续漏极电流:9.8A€35A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF8309S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3234pF@15V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3405-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:417pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:73mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@15V
连续漏极电流:9.8A€35A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3405-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:417pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:73mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFC3401
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3234pF@15V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3403A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF8309S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3403A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFC3401
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3409A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:14W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3216pF@15V
连续漏极电流:34A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:14W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3216pF@15V
连续漏极电流:34A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G16P03D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: