品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":223202,"10+":2500,"22+":50000,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":23252}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA1GZETB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pf@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":23252}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":223202,"10+":2500,"22+":50000,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":23252}
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:520pF@15V
功率:680mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:490pF@15V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":23252}
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:520pF@15V
功率:680mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":223202,"10+":2500,"22+":50000,"MI+":5000}
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:520pF@15V
功率:680mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: