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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0921NDIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：17A€31A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3604S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@15V
连续漏极电流：13A€23A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0921NDIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：17A€31A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSL020P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SCGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@15V
连续漏极电流：30A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0923NDIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@15V
连续漏极电流：17A€32A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@15V
连续漏极电流：30A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7608S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：12A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNEZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：55mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3669S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCB60XNEZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.3A
类型：MOSFET
导通电阻：55mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：27280，"MI+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS9620S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：7.5A€10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3781，"17+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3457-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7620S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：10.1A€12.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4433，"07+"：49500，"08+"：1500，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3606S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@15V
连续漏极电流：13A€27A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR015P03TL
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3669S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3669S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7608S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：12A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
