采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR025P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：98mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR025P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：98mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR025P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：98mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR030P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR030P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR025P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：98mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR025P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：98mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL035P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR030P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J340R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3355-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：172pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：156mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL035P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
