品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD4806NT4G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1.4W(Ta),68W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2142 pF @ 12 V
连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD4806NT4G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1.4W(Ta),68W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2142 pF @ 12 V
连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD4806NT4G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1.4W(Ta),68W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2142 pF @ 12 V
连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":333,"21+":12345}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB065N03LGATMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:56W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400 pF @ 15 V
连续漏极电流:50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.5 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
栅极电荷:47 nC @ 10 V
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
ECCN:EAR99
功率:70W(Tc)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}
规格型号(MPN):NVD4806NT4G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2142 pF @ 12 V
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:23 nC @ 4.5 V
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V
连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)
功率:1.4W(Ta),68W(Tc)
ECCN:EAR99
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":333,"21+":12345}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB065N03LGATMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:56W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400 pF @ 15 V
连续漏极电流:50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.5 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":333,"21+":12345}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB065N03LGATMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:56W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400 pF @ 15 V
连续漏极电流:50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.5 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":519}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P03P4L04ATMA2
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:137W(Tc)
阈值电压:2V @ 253µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11300 pF @ 25 V
连续漏极电流:80A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:4.4毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:91W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264 pF @ 15 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:91W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264 pF @ 15 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3103TRPBF
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:107W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:19 毫欧 @ 33A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:91W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264 pF @ 15 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:91W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264 pF @ 15 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:91W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264 pF @ 15 V
连续漏极电流:70A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:58W(Tc)
阈值电压:2V @ 85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770 pF @ 25 V
连续漏极电流:50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:10.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3103TRPBF
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:107W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:19 毫欧 @ 33A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N03S4L03ATMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":9000,"15+":12184}
规格型号(MPN):IPS075N03LGAKMA1
漏源电压:30V
阈值电压:2.2V @ 250µA
导通电阻:7.5 毫欧 @ 30A,10V
栅极电荷:18 nC @ 10 V
类型:N 通道
包装方式:管件
输入电容:1900 pF @ 15 V
功率:47W(Tc)
ECCN:EAR99
连续漏极电流:50A(Tc)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存: