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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G 起订943个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G 起订943个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4806NT4G

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:1.4W(Ta),68W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142 pF @ 12 V

    连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4806NT4G

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:1.4W(Ta),68W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142 pF @ 12 V

    连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4806NT4G

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:1.4W(Ta),68W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142 pF @ 12 V

    连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB065N03LGATMA1 起订802个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB065N03LGATMA1 起订802个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":333,"21+":12345}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB065N03LGATMA1

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:56W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400 pF @ 15 V

    连续漏极电流:50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6.5 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:70W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8876

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700 pF @ 15 V

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)

    类型:N 通道

    栅极电荷:47 nC @ 10 V

    导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:70W(Tc)

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}

    规格型号(MPN):NVD4806NT4G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:2142 pF @ 12 V

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:23 nC @ 4.5 V

    类型:N 通道

    导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V

    连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)

    功率:1.4W(Ta),68W(Tc)

    ECCN:EAR99

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB065N03LGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB065N03LGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":333,"21+":12345}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB065N03LGATMA1

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:56W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400 pF @ 15 V

    连续漏极电流:50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6.5 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB065N03LGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB065N03LGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":333,"21+":12345}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB065N03LGATMA1

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:56W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400 pF @ 15 V

    连续漏极电流:50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6.5 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P03P4L04ATMA2 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80P03P4L04ATMA2 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":519}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80P03P4L04ATMA2

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:137W(Tc)

    阈值电压:2V @ 253µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11300 pF @ 25 V

    连续漏极电流:80A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:4.4毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:91W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264 pF @ 15 V

    连续漏极电流:70A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订250个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订250个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:91W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264 pF @ 15 V

    连续漏极电流:70A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3103TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3103TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3103TRPBF

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:107W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600 pF @ 25 V

    连续漏极电流:55A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:19 毫欧 @ 33A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:91W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264 pF @ 15 V

    连续漏极电流:70A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订231个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订231个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:91W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264 pF @ 15 V

    连续漏极电流:70A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订25个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订25个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:91W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264 pF @ 15 V

    连续漏极电流:70A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P03P4L11ATMA2 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P03P4L11ATMA2 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:58W(Tc)

    阈值电压:2V @ 85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3770 pF @ 25 V

    连续漏极电流:50A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:10.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3103TRPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3103TRPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3103TRPBF

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:107W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600 pF @ 25 V

    连续漏极电流:55A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:19 毫欧 @ 33A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N03S4L03ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N03S4L03ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB120N03S4L03ATMA1

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:79W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300 pF @ 25 V

    连续漏极电流:120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 毫欧 @ 100A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS075N03LGAKMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS075N03LGAKMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"13+":9000,"15+":12184}

    规格型号(MPN):IPS075N03LGAKMA1

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    导通电阻:7.5 毫欧 @ 30A,10V

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    类型:N 通道

    包装方式:管件

    输入电容:1900 pF @ 15 V

    功率:47W(Tc)

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:50A(Tc)

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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