品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W(Ta)
输入电容:2610 pF @ 100 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:250V
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
连续漏极电流:3A(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:45 nC @ 10 V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:250V
类型:N 通道
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS139IXTSA1
栅极电荷:2.3 nC @ 5 V
输入电容:60 pF @ 25 V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14 欧姆 @ 100mA,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:250V
阈值电压:1V @ 56µA
类型:N 通道
功率:360mW(Ta)
连续漏极电流:100mA(Ta)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":600}
规格型号(MPN):FQI27N25TU
导通电阻:110 毫欧 @ 12.75A,10V
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:250V
类型:N 通道
包装方式:管件
功率:3.13W(Ta),180W(Tc)
ECCN:EAR99
输入电容:2450 pF @ 25 V
连续漏极电流:25.5A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存: