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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:3Ω@1.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2710 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2710 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP2710

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:101nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7280pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:42.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF634PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF634PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF634PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:8.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP317PH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP317PH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP317PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@370µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:262pF@25V

    连续漏极电流:430mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@430mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:3Ω@1.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH110N25T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH110N25T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH110N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:694W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:157nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9400pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@55A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP317PH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP317PH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP317PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@370µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:262pF@25V

    连续漏极电流:430mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@430mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQA40N25 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQA40N25 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA40N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:3Ω@1.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N25CT 起订584个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N25CT 起订584个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":0}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF9N25CT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS192PH6327FTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS192PH6327FTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:104pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@190mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP92PH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP92PH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP92PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:104pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@260mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2625K4-G 起订2000个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2625K4-G 起订2000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2625K4-G

    工作温度:-55℃~150℃

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.04nC@1.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1A,0V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS192PH6327FTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS192PH6327FTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:104pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@190mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF44N25TRDTU 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF44N25TRDTU 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":930}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF44N25TRDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2870pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@22A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ42DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2425N8-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2425N8-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2425N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:480mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI634GPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI634GPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI634GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS139H6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS139H6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS139H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@56µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:14Ω@100µA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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