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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA908PZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA908PZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA908PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3957pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.5mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413ADJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413ADJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R4VPX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R4VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413ADJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413ADJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA908PZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA908PZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA908PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3957pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.5mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413ADJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413ADJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413ADJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413ADJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413ADJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413ADJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413ADJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413ADJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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