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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:4.8A

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    输入电容:1040pF@12V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

    漏源电压:12V

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6337-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6337-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6337-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1122
    onsemi Mosfet场效应管 CPH3348-TL-E
    onsemi Mosfet场效应管 CPH3348-TL-E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":227394,"17+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH3348-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1781
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF

    工作温度:150℃

    功率:1.33W

    阈值电压:1.4V@1.57mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8308-TL-H 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8308-TL-H 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8308-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@6V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.5mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2417R-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2417R-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":122492,"17+":1290}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2417R-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2466
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6336-TL-E
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6336-TL-E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3000,"18+":11996}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6336-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@6V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2137
    onsemi Mosfet场效应管 EFC2K102ANUZTDG
    onsemi Mosfet场效应管 EFC2K102ANUZTDG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EFC2K102ANUZTDG

    工作温度:150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:33A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.75mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ROHM Mosfet场效应管 RZR040P01TL
    ROHM Mosfet场效应管 RZR040P01TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZR040P01TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1335-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1335-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":45000,"14+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1335-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2914
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8309-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8309-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":30000,"21+":6000,"22+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8309-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:465
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A025ZPTL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A025ZPTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A025ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:760mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P-Channel

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J512NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J512NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J512NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@6V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.2mΩ@4A,8V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J338R,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J338R,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J338R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.6mΩ@6A,8V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF

    工作温度:150℃

    功率:1.33W

    阈值电压:1.4V@1.57mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 EFC2K102ANUZTDG
    onsemi Mosfet场效应管 EFC2K102ANUZTDG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EFC2K102ANUZTDG

    工作温度:150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:33A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.75mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF

    工作温度:150℃

    功率:1.33W

    阈值电压:1.4V@1.57mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J338R,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J338R,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J338R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.6mΩ@6A,8V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 EFC2K102ANUZTDG
    onsemi Mosfet场效应管 EFC2K102ANUZTDG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EFC2K102ANUZTDG

    工作温度:150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:33A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.75mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J338R,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J338R,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J338R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.6mΩ@6A,8V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A025ZPTL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A025ZPTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A025ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:760mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P-Channel

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6353-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6353-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6353-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6337-TL-W 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6337-TL-W 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6337-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J338R,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J338R,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J338R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.6mΩ@6A,8V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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