品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:995pF@6V
连续漏极电流:12.2A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCMN2014HE3-TP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1791pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,8V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501VNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:556mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@6V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13385F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@6V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501VNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:556mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@6V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13303W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.65W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:995pF@6V
连续漏极电流:12.2A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13380F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13383F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13383F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1260UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.96nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:366mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13383F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13380F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019USN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2426pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: