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    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCMN2014HE3-TP 起订5个装
    MCC Mosfet场效应管 MCMN2014HE3-TP 起订5个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCMN2014HE3-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1791pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,8V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VNEZ 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VNEZ 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM6501VNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:556mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@6V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13385F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@6V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VNEZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VNEZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM6501VNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:556mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@6V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订18个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订18个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13303W1015 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13303W1015 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13303W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.65W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13302WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:862pF@6V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订750个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订750个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1260UFA-7B 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1260UFA-7B 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1260UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.96nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:366mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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