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    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S4DPP-E0#T2 起订79个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S4DPP-E0#T2 起订79个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":113598,"13+":950}

    包装规格(MPQ):65psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S4DPP-E0#T2

    功率:29.9W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:988pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB20N60FTM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB20N60FTM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB20N60FTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.37nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:95pF@25V

    导通电阻:150mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNXC7G 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNXC7G 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020KNXC7G

    功率:68W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.55nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6011DP3-A0#J2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6011DP3-A0#J2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":45000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6011DP3-A0#J2

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNXC7G 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNXC7G 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020KNXC7G

    功率:68W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.55nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}

    包装规格(MPQ):82psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2

    功率:27.7W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:720pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:440mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6026DPP-E0#T2 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6026DPP-E0#T2 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":40100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6026DPP-E0#T2

    功率:28.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.4Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6011DP3-A0#J2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6011DP3-A0#J2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":45000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6011DP3-A0#J2

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订70个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订70个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6011DP3-A0#J2 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6011DP3-A0#J2 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":45000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6011DP3-A0#J2

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:100mA

    类型:1个N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}

    包装规格(MPQ):82psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2

    功率:27.7W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:720pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:440mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.205nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:309mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNJGTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNJGTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:252W

    阈值电压:7V@3.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.5nF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:234mΩ@10A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.205nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:309mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6015KNXC7G 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6015KNXC7G 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015KNXC7G

    功率:60W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.05nF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF380A60L 起订50个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF380A60L 起订50个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF380A60L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:27W

    阈值电压:3.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:955pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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