品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:54W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":113598,"13+":950}
包装规格(MPQ):65psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S4DPP-E0#T2
功率:29.9W
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:988pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6011DP3-A0#J2
ECCN:EAR99
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}
包装规格(MPQ):82psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2
功率:27.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:54W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":40100}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6026DPP-E0#T2
功率:28.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6011DP3-A0#J2
ECCN:EAR99
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6011DP3-A0#J2
ECCN:EAR99
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}
包装规格(MPQ):82psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2
功率:27.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNXC7G
功率:60W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.05nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF380A60L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:3.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:955pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: