品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":116000,"15+":1431,"16+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT01N60T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2
工作温度:150℃
功率:27.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.5pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:42Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":116000,"15+":1431,"16+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT01N60T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000}
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规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2
工作温度:150℃
功率:27.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.5pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:42Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2
工作温度:150℃
功率:27.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.5pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:42Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2
工作温度:150℃
功率:27.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.5pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:42Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":3000}
规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2
功率:27.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
输入电容:37.5pF@25V
连续漏极电流:400mA
栅极电荷:4.3nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:42Ω@200mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2
工作温度:150℃
功率:27.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.5pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:42Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: