采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：8671，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：8671，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：280，"12+"：19459，"13+"：74943，"9999"：2000，"MI+"：3270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF10N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000，"19+"：84468，"21+"：5390，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R365P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：46W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：365mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：280，"12+"：19459，"13+"：74943，"9999"：2000，"MI+"：3270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF10N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：39462，"13+"：41706，"14+"：9，"15+"：113228，"16+"：400，"17+"：2659}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF10N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：280，"12+"：19459，"13+"：74943，"9999"：2000，"MI+"：3270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF10N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4.5V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000，"19+"：84468，"21+"：5390，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R365P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：46W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：365mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：39462，"13+"：41706，"14+"：9，"15+"：113228，"16+"：400，"17+"：2659}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF10N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000，"19+"：84468，"21+"：5390，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R365P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：46W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：365mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R365P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：46W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：365mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT10N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
