采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：83W
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栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
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功率：83W
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输入电容：795pF@100V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9.5A
漏源电压：600V
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
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栅极电荷：19.4nC@10V
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规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
输入电容：2587pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
功率：329W
包装方式：管件
栅极电荷：62nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：38A
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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