采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N60CTM-WS
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R380P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：877pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R380P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：877pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4040}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R380P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：877pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R380P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：877pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2000，"22+"：143}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R380P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：877pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：15120，"13+"：70560，"14+"：5040，"16+"：5040，"9999"：1764，"MI+"：20160}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4040}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R380P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：877pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R380P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：877pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2000，"22+"：143}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：15120，"13+"：70560，"14+"：5040，"16+"：5040，"9999"：1764，"MI+"：20160}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2000，"22+"：143}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R380P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：877pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：15120，"13+"：70560，"14+"：5040，"16+"：5040，"9999"：1764，"MI+"：20160}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N60CTM-WS
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N60CTM-WS
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R380P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：877pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R380P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：877pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
