品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":311,"20+":500,"22+":400}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R190C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R190E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":50,"21+":200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R190E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":623}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF12N60C
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":623}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF12N60C
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):166psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":311,"20+":500,"22+":400}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R190C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R190C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":204,"18+":16,"21+":2490,"9999":55}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R190C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":204,"18+":16,"21+":2490,"9999":55}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R190C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R190E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):166psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R190C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):166psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):166psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R190E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":204,"18+":16,"21+":2490,"9999":55}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R190C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":204,"18+":16,"21+":2490,"9999":55}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP60R190C6XKSA1
阈值电压:3.5V@630µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
功率:151W
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
包装方式:管件
栅极电荷:63nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
输入电容:2557pF@100V
栅极电荷:63nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:80mΩ@17A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: