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    ECCN: EAR99
    漏源电压: 600V
    栅极电荷: 55nC@10V
    当前匹配商品:10+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订102个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订102个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":766}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订114个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订114个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30,"18+":2700,"22+":8542}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30,"18+":2700,"22+":8542}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":766}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30,"18+":2700,"22+":8542}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30,"18+":2700,"22+":8542}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20E60W5,S1VX 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20E60W5,S1VX 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20E60W5,S1VX

    工作温度:150℃

    功率:165W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订102个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订102个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":766}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP170N60

    功率:227W

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    输入电容:2860pF@380V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:55nC@10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    连续漏极电流:22A

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":766}

    规格型号(MPN):FCP170N60

    功率:227W

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    输入电容:2860pF@380V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:55nC@10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    连续漏极电流:22A

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20N60W5,S1VF 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20N60W5,S1VF 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20N60W5,S1VF

    功率:165W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":766}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":766}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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