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    包装方式
    行业应用
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 600V
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:2200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R028G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R028G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:123nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4820pF@400V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@28.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R105P7AUMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R105P7AUMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R105P7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:137W

    阈值电压:4V@530µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1952pF@400V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R075CFD7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R075CFD7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R075CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:188W

    阈值电压:4.5V@570µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2103pF@400V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R2K0PFD7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:4.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:134pF@400V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R022S7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R022S7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R022S7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5639pF@300V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@23A,12V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K4CEAUMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K4CEAUMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R3K4CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:29W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R600P7SATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R600P7SATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R600P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订143个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订143个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0PFD7SATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0PFD7SATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.7V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R170CFD7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R170CFD7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R170CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:76W

    阈值电压:4.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1199pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPLK60R360PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:534pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R060P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:164W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7SE8228AUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7SE8228AUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360P7SE8228AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:202W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K4CEAUMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K4CEAUMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R3K4CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:29W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDQ60R022S7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDQ60R022S7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):750psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDQ60R022S7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:416W

    阈值电压:4.5V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5639pF@300V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@23A,12V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT01N60T1G 起订561个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT01N60T1G 起订561个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":116000,"15+":1431,"16+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT01N60T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK31V60X,LQ 起订2500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK31V60X,LQ 起订2500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK31V60X,LQ

    工作温度:150℃

    功率:240W

    阈值电压:3.5V@1.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@300V

    连续漏极电流:30.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:98mΩ@9.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360PFD7SAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360PFD7SAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360PFD7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:4.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:534pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS9N60ATRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135IXTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135IXTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP135IXTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:98pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R800CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R800CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R800CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:373pF@100V

    连续漏极电流:8.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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