品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7651,"19+":33008}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R120C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R120C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG22N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:182mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG22N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:182mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R120C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7651,"19+":33008}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7651,"19+":33008}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7651,"19+":33008}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:81W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7651,"19+":33008}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG22N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:182mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7651,"19+":33008}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120C7ATMA1
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1500pF@400V
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
连续漏极电流:19A
功率:92W
类型:N沟道
阈值电压:4V@390µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7651,"19+":33008}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120C7ATMA1
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1500pF@400V
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
连续漏极电流:19A
功率:92W
类型:N沟道
阈值电压:4V@390µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4V@280µA
功率:81W
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:1081pF@400V
漏源电压:600V
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
导通电阻:185mΩ@5.6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R170CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:137W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7651,"19+":33008}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: