采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000F@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCA47N60-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP054N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3769pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：118，"23+"：1395}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000F@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：65，"19+"：85，"20+"：100，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：368W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6700pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：65，"19+"：85，"20+"：100，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：368W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6700pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP054N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3769pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000F@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCA47N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：65，"19+"：85，"20+"：100，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：368W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6700pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT47N60BC3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.9V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7015pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@30A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP054N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3769pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCA47N60-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：65，"19+"：85，"20+"：100，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：368W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6700pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
