品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":226}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S5DPP-E0#T2
功率:33.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:178mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":226}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S5DPP-E0#T2
功率:33.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:178mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":226}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S5DPP-E0#T2
功率:33.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:178mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.935nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":226}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S5DPP-E0#T2
功率:33.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:178mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":226}
规格型号(MPN):RJK60S5DPP-E0#T2
连续漏极电流:20A
功率:33.7W
导通电阻:178mΩ@10A,10V
输入电容:1.6nF@25V
类型:1个N沟道
漏源电压:600V
栅极电荷:27nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP20N60
连续漏极电流:20A
输入电容:3.08nF@25V
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
栅极电荷:98nC@10V
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: