品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF4N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF4N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004JNXC7G
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:7V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@15V
包装方式:管件
输入电容:260pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF4N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF4N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004JNXC7G
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:7V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@15V
包装方式:管件
输入电容:260pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
输入电容:2557pF@100V
栅极电荷:63nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:80mΩ@17A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF4N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1K2A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:740pF@300V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF4N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF4N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF22N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.92nF@100V
连续漏极电流:21A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: