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    ECCN: EAR99
    漏源电压: 600V
    功率: 35W
    当前匹配商品:20+
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    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF4N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF4N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6014DPP-E0#T2 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6014DPP-E0#T2 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":5107}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:575mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6014DPP-E0#T2 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6014DPP-E0#T2 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":5107}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:575mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004JNXC7G 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004JNXC7G 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004JNXC7G

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    功率:35W

    阈值电压:7V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:260pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF4N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订50个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订50个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF4N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004JNXC7G 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004JNXC7G 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004JNXC7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:7V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:260pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3

    功率:35W

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    连续漏极电流:14A

    输入电容:2557pF@100V

    栅极电荷:63nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF4N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1K2A60F,S4X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK1K2A60F,S4X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK1K2A60F,S4X

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@630µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:740pF@300V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6014DPP-E0#T2 起订66个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6014DPP-E0#T2 起订66个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":5107}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:575mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订5000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订5000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF4N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6014DPP-E0#T2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6014DPP-E0#T2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":5107}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:575mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF080N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订2000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF4N60L 起订2000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF4N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6014DPP-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6014DPP-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":5107}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:575mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6014DPP-E0#T2 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6014DPP-E0#T2 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":5107}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:575mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF22N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF22N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF22N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.92nF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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