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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
栅极电荷：8nC@10V
工作温度：-50℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
连续漏极电流：1.3A
ECCN：EAR99
输入电容：160pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25A60X5，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：3.7V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：3.7V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：3.7V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
