采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：27900，"23+"：73350，"MI+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：27900，"23+"：73350，"MI+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：27900，"23+"：73350，"MI+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：27900，"23+"：73350，"MI+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：368}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R055CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4.5V@760µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2724pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG40N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：197nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4436pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
输入电容：2587pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
功率：329W
包装方式：管件
栅极电荷：62nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：38A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
输入电容：5.84nF@400V
阈值电压：4.3V@6.7mA
类型：1个N沟道
功率：329W
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：57A
栅极电荷：108nC@10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG40N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：197nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4436pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：368}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R055CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4.5V@760µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2724pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：368}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R055CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4.5V@760µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2724pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
