品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":280,"12+":19459,"13+":74943,"9999":2000,"MI+":3270}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":280,"12+":19459,"13+":74943,"9999":2000,"MI+":3270}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":39462,"13+":41706,"14+":9,"15+":113228,"16+":400,"17+":2659}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":280,"12+":19459,"13+":74943,"9999":2000,"MI+":3270}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":39462,"13+":41706,"14+":9,"15+":113228,"16+":400,"17+":2659}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT10N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":39462,"13+":41706,"14+":9,"15+":113228,"16+":400,"17+":2659}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":835}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":835}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":723,"16+":18000,"17+":2000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):229psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":723,"16+":18000,"17+":2000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):229psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT10N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":835}
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:185W
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:750mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: