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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR582DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5.6W€92.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.36nF@40V
连续漏极电流：116A€28.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR582DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5.6W€92.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.36nF@40V
连续漏极电流：116A€28.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
功率：760mW€2.5W
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：17nC@10V
工作温度：-50℃~+150℃
漏源电压：80V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2.2A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
输入电容：500pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
