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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC€13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24.7A€24.6A
类型：MOSFET
导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC€13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24.7A€24.6A
类型：MOSFET
导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiS128LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@40V
连续漏极电流：10.2A€33.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiS128LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@40V
连续漏极电流：10.2A€33.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
栅极电荷：18.7nC
阈值电压：4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
功率：59.5W
漏源电压：80V
导通电阻：7.2mΩ
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiS128LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@40V
连续漏极电流：10.2A€33.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiS128LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@40V
连续漏极电流：10.2A€33.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiS128LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@40V
连续漏极电流：10.2A€33.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR582DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5.6W€92.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.36nF@40V
连续漏极电流：116A€28.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiS128LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@40V
连续漏极电流：10.2A€33.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiS128LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@40V
连续漏极电流：10.2A€33.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiS128LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@40V
连续漏极电流：10.2A€33.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR582DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5.6W€92.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.36nF@40V
连续漏极电流：116A€28.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC€13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24.7A€24.6A
类型：MOSFET
导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS468DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10V，10A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
