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    漏源电压
    80V
    包装方式
    行业应用
    品牌: ON SEMI
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 80V
    当前匹配商品:1200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H888NTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H888NTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H888NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W€18W

    阈值电压:4V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@40V

    连续漏极电流:4.7A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H824NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:20A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75545S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:270W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:235nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D2N08H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D2N08H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€300W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:147nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@40V

    连续漏极电流:41A€335A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86320

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB024N08BL7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€107W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@40V

    连续漏极电流:11A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86340 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86340 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86340

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.3W(Ta),54W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3885 pF @ 40 V

    连续漏极电流:14A(Ta),48A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6.5 毫欧 @ 14A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H848NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H848NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€73W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@40V

    连续漏极电流:13A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€214W

    阈值电压:2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@40V

    连续漏极电流:30A€224A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H852NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H852NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€54W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@40V

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS039N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7600pF@40V

    连续漏极电流:19.4A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H824NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:20A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€107W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@40V

    连续漏极电流:11A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D2N08H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D2N08H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€300W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:147nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@40V

    连续漏极电流:41A€335A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3580 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3580 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3580

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800 pF @ 25 V

    连续漏极电流:7.6A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:29 毫欧 @ 7.6A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75545S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:270W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:235nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€214W

    阈值电压:2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@40V

    连续漏极电流:30A€224A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA037N08LC 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA037N08LC 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA037N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2.5V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@40V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:36.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H852NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H852NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€54W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@40V

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订124个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订124个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":85,"20+":1350,"23+":3454}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6D1N08HT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6D1N08HT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6D1N08HT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€104W

    阈值电压:4V@125µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@40V

    连续漏极电流:17A€89A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H840NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@96µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2002pF@40V

    连续漏极电流:14A€74A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H840NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@96µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2002pF@40V

    连续漏极电流:14A€74A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H888NWFTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H888NWFTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H888NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W€18W

    阈值电压:4V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@40V

    连续漏极电流:4.7A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H801NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4120pF@40V

    连续漏极电流:23A€157A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBLS1D1N08H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBLS1D1N08H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBLS1D1N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.2W€311W

    阈值电压:4V@650µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:166nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11200pF@40V

    连续漏极电流:41A€351A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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