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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP7D3N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：4.5V@342μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4.25nF@75V
连续漏极电流：12.1A€101A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@75V
导通电阻：6.2mΩ@10V，62A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX400N15X4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5kW
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：430nC@10V
输入电容：14.5nF@25V
连续漏极电流：400A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS4D3N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：293W
阈值电压：3.6V@521μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.514nF@75V
连续漏极电流：174A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12.5pF@75V
导通电阻：3.4mΩ@10V，95A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA70CENW-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：62.5W
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
漏源电压：150V
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：68.5mΩ@7A，10V
输入电容：540pF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX400N15X4
输入电容：14.5nF@25V
类型：1个N沟道
漏源电压：150V
功率：1.5kW
栅极电荷：430nC@10V
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
阈值电压：4.5V@1mA
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：400A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2214
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFB4019PBF
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
阈值电压：4.9V@50μA
漏源电压：150V
输入电容：800pF@50V
功率：80W
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：95mΩ@10V，10A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP2572
栅极电荷：34nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：54mΩ@10V，9A
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250μA
功率：135W
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：1.77nF@25V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4A€29A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP2572
栅极电荷：34nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：54mΩ@10V，9A
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250μA
功率：135W
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：1.77nF@25V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4A€29A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
