采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：5487，"MI+"：2406}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2512-P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@75V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB390N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBGS4D1N15MC
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
栅极电荷：88.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7285pF@75V
连续漏极电流：20A€185A
类型：N沟道
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86240
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），40W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905 pF @ 75 V
连续漏极电流：4.6A（Ta），16A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：51 毫欧 @ 4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@75V
连续漏极电流：4.5A€27A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1191，"23+"：81}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€16A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP45N15V2
工作温度：-55℃~150℃
功率：220W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3030pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@22.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1600，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0630N1507L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9895pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS034N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：4.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：6.1A€31A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@75V
连续漏极电流：6.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：701，"22+"：3610，"23+"：2632}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€16A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@75V
连续漏极电流：6.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS034N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：4.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：6.1A€31A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：380，"21+"：2712，"22+"：21084，"24+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86246
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：261 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8097AC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V€230pF@75V
连续漏极电流：2.4A€900mA
类型：N和P沟道
导通电阻：155mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：16300，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2572
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：135W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770 pF @ 25 V
连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75852G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：480nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7690pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86246
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：261 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86246
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：261 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1247，"22+"：1386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2572
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：135W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770 pF @ 25 V
连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1128，"22+"：3000，"23+"：28655，"24+"：3000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS015N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€108.7W
阈值电压：4.5V@162µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@75V
连续漏极电流：9.2A€61A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@29A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
