采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：59025}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：11550}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€34.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：963pF@12V
连续漏极电流：9.6A€51A
类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：32500，"19+"：494713，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHK04P02T，518
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：600mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@12.8V
连续漏极电流：4.66A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：59025}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UFY4Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：135979}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€34.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：963pF@12V
连续漏极电流：9.6A€51A
类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：14400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2000}
包装规格(MPQ)：506psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0008RXDQS#H1
功率：10W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：44pF@0V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UFY4Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：11550}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€34.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：963pF@12V
连续漏极电流：9.6A€51A
类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UFY4Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UFY4Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UFY4Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7275}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：135979}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€34.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：963pF@12V
连续漏极电流：9.6A€51A
类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2000}
包装规格(MPQ)：506psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0008RXDQS#H1
功率：10W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：44pF@0V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UFY4Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：32500，"19+"：494713，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHK04P02T，518
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：600mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@12.8V
连续漏极电流：4.66A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：15525}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UFY4Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：11100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€34.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：963pF@12V
连续漏极电流：9.6A€51A
类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA675T-T1-A
功率：200mW
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
输入电容：10pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA675T-T1-A
功率：200mW
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
输入电容：10pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7275}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
