采购热线 400-661-9010
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0025120D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：463W
阈值电压：2.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2.788nF@1000V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120J-TR
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120J-TR
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSCSM120SKM31CTBL1NG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：232nC@20V
包装方式：散装
输入电容：3.02nF@1000V
连续漏极电流：79A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120J-TR
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KRC15
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.498nF@800V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4036KW7TL
功率：150W
阈值电压：4.8V@11.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.335nF@800V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SEMIQUARZ
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GP2T040A120H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：322W
阈值电压：4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3.192nF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120J-TR
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4036KW7TL
功率：150W
阈值电压：4.8V@11.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.335nF@800V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4036KW7TL
功率：150W
阈值电压：4.8V@11.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.335nF@800V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4036KW7TL
功率：150W
阈值电压：4.8V@11.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.335nF@800V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SEMIQUARZ
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GP2T040A120H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：322W
阈值电压：4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3.192nF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0025120D
输入电容：2.788nF@1000V
导通电阻：34mΩ@50A，20V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：90A
阈值电压：2.4V@10mA
功率：463W
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：161nC@20V
漏源电压：1.2kV
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120J-TR
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KRC15
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.498nF@800V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0025120D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：463W
阈值电压：2.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2.788nF@1000V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2232
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.154nF@800V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.9pF@800V
导通电阻：80mΩ@20V，20A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120J-TR
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SEMIQUARZ
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GP2T040A120H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：322W
阈值电压：4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3.192nF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSCSM120DAM31CTBL1NG
ECCN：EAR99
包装方式：散装
连续漏极电流：79A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
类型：1个N沟道
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
栅极电荷：37.8nC@15V
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
