品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
特征频率:140MHz
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:320mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:2.2kΩ
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):40V
功率:250mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):180@300mA,5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):750mV@6mA,600mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):230@300mA,5V
输入电阻:1kΩ
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):40V
功率:250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):750mV@6mA,600mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):130@300mA,5V
输入电阻:1kΩ
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):40V
功率:250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):750mV@6mA,600mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
特征频率:140MHz
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"18+":35000}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
输入电阻:4.7kΩ
功率:325mW
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):500mA
特征频率:210MHz
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
功率:250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
功率:250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
输入电阻:10kΩ
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
功率:300mW
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
功率:250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BST52,135
功率:1.3W
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):1A
工作温度:150℃
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:200MHz
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BST52,135
功率:1.3W
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):1A
工作温度:150℃
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:200MHz
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):230@300mA,5V
输入电阻:1kΩ
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):40V
功率:250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):750mV@6mA,600mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
功率:250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
功率:420mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
输入电阻:1千欧
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 2.5mA,50mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:10千欧
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
特征频率:140MHz
输入电阻:10kΩ
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:320mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
特征频率:225MHz,140MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
功率:290mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:10千欧
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"18+":40000,"21+":5000}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
特征频率:150MHz
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
功率:325mW
包装方式:卷带(TR)
输入电阻:10kΩ
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):230@300mA,5V
输入电阻:1kΩ
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):40V
功率:250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):750mV@6mA,600mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
功率:420mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
输入电阻:1千欧
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 2.5mA,50mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:10千欧
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):1.15V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):40V
功率:250mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):180@300mA,5V
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):230@300mA,5V
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):40V
功率:250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):750mV@6mA,600mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
功率:250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@50mA,5V
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
输入电阻:10kΩ
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:320mW
特征频率:225MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
特征频率:225MHz,140MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
功率:290mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:10千欧
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
特征频率:140MHz
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:320mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BST52,135
功率:1.3W
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):1A
工作温度:150℃
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:200MHz
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
特征频率:140MHz
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:320mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BST52,135
功率:1.3W
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):1A
工作温度:150℃
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:200MHz
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: