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品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26，215
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
特征频率：220MHz
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV49，135
功率：1.3W
晶体管类型：NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
特征频率：220MHz
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
特征频率：170MHz
集射极击穿电压(Vceo)：80V
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
ECCN：EAR99
功率：235mW
输入电阻：47kΩ
晶体管类型：NPN-预偏压
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV46，215
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
特征频率：220MHz
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
特征频率：230MHz
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
功率：480mW
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
特征频率：170MHz
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV28，115
功率：1.3W
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
集电极电流(Ic)：500mA
特征频率：220MHz
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47，215
晶体管类型：NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
特征频率：220MHz
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
特征频率：170MHz
集射极击穿电压(Vceo)：80V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
ECCN：EAR99
功率：235mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBTA14，215
特征频率：125MHz
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：30V
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV29，115
功率：1.3W
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
集电极电流(Ic)：500mA
特征频率：220MHz
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBTA14，215
特征频率：125MHz
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：30V
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
特征频率：230MHz
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
功率：480mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
特征频率：170MHz
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"14+"：6000，"16+"：2201，"17+"：2690，"19+"：29550，"21+"：3000，"22+"：141000}
销售单位：个
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26，215
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
特征频率：220MHz
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV46，215
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
特征频率：220MHz
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：100kΩ
ECCN：EAR99
功率：250mW
集电极电流(Ic)：20mA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
特征频率：170MHz
集射极击穿电压(Vceo)：80V
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
ECCN：EAR99
功率：235mW
输入电阻：47kΩ
晶体管类型：NPN-预偏压
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：100kΩ
ECCN：EAR99
功率：250mW
集电极电流(Ic)：20mA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"19+"：3000，"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBTA13，215
特征频率：125MHz
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：30V
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47，215
晶体管类型：NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
特征频率：220MHz
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
