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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:625mW€5.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP372NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP372NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@218µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:329pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB02N60S5ATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB02N60S5ATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB02N60S5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:5.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7464DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1436-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":19995}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1436-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3206
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP372NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP372NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@218µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:329pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:625mW€5.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K217FE,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K217FE,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.2V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@1A,8V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:625mW€5.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP372NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP372NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@218µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:329pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP372NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP372NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@218µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:329pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K217FE,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K217FE,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.2V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@1A,8V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8808DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8808DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8808DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@15V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N60S5BTMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N60S5BTMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":870,"16+":12500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N60S5BTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:5.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8808DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8808DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8808DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@15V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP373NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP373NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP373NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@218µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N60S5BTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N60S5BTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":870,"16+":12500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N60S5BTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:5.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:625mW€5.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP373NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP373NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP373NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@218µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMT200EN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":25828}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT200EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@80V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7464DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7464DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB02N60C3ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB02N60C3ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":1000,"08+":500,"10+":1000,"12+":9000,"14+":36000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB02N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:3.9V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB02N60S5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB02N60S5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB02N60S5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:5.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8808DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8808DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8808DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@15V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:625mW€5.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8808DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8808DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8808DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@15V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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