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    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 1.8A
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:40+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":3000,"11+":1571}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@15V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3562
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订30000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订30000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":20000,"23+":60000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5788
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:53000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2794
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2940,"23+":24000,"24+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2174
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV75UPR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV75UPR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV75UPR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NXP Mosfet场效应管 PMF63UN,115
    NXP Mosfet场效应管 PMF63UN,115

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6000,"14+":18542}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMF63UN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:275mW€1.785W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:185pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2244
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV75UPR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV75UPR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV75UPR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV75UPR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV75UPR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV75UPR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订21000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订21000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
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