品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":65450}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":65450}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@50V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":65450}
规格型号(MPN):BSS123
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:14pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:1.8nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2110K1-G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: