采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002NH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1555UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.4pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002NH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002NH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：57000，"22+"：353878}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS7728NH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.3V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1555UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.4pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1555UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.4pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1555UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.84nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.4pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
