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    onsemi Mosfet场效应管 BVSS138LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS138LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BVSS138LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5468,"21+":66398}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTND31015NZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.3pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2165
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKVYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002NH6433XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002NH6433XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SN7002NH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1.8V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    Microchip Mosfet场效应管 DN1509K1-G 起订4个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN1509K1-G 起订4个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN1509K1-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@200mA,0V

    漏源电压:90V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2404K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKVYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS138LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS138LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BVSS138LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    Microchip Mosfet场效应管 DN2530N8-G
    Microchip Mosfet场效应管 DN2530N8-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2530N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:12Ω@150mA,0V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS138LT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS138LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BVSS138LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT3G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT3G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4106FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4106FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4106FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT3G 起订24个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT3G 起订24个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT3G
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT3G
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAK,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAK,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAK,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€1.06W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.44nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:29
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1032X-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1032X-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1032X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKVYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKV,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKV,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKV,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:375mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138DWQ-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138DWQ-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138DWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
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