品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:134pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,135
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2523P
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ193P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:131mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB70XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:515mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:79mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":25500,"18+":25357,"19+":27000,"9999":1465,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R2K0P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R2K0P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,135
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23203W
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@4V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":227394,"17+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3348-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:134pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1003A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:622pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS2P753Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2017}
销售单位:个
规格型号(MPN):VEC2415-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB70XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:515mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:79mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":212578,"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6355-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:172pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:169mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3421E
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: