品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3070SSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":6007}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4402UPEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2031,"23+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:652mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@4.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN7A11KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.11W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:298pF@40V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@4.4A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1000,"21+":613,"22+":179,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI4N90TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@2.1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H099SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:980mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3414UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:829.9pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H099SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:980mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:907pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H099SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:980mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3401A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4486
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4486
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3414UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:829.9pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305B-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3404L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN7A11KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.11W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:298pF@40V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@4.4A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN7A11KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.11W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:298pF@40V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@4.4A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: