品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: