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    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFSL7540PBF 起订301个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFSL7540PBF 起订301个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFSL7540PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:3.7V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4555pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@65A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFP064N 起订151个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFP064N 起订151个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"00+":1425,"18+":364,"95+":700}

    包装规格(MPQ):400psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFP064N

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@59A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH110N25T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH110N25T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH110N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:694W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:157nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9400pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@55A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110N10-09-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110N10-09-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110N10-09-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6700pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP110N055T2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP110N055T2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP110N055T2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3060pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS7540TRLPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS7540TRLPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS7540TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:3.7V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4555pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@65A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205STRLPBF 起订189个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205STRLPBF 起订189个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3247pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@62A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0601DPN-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0601DPN-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":589,"17+":606,"18+":445}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0601DPN-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:200W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10000pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9403-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9403-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9403-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:213nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12700pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205STRLPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205STRLPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3247pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@62A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":648,"18+":3152,"22+":36800,"MI+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9406-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7710pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3812-ZP-E1-AZ 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3812-ZP-E1-AZ 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3812-ZP-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1.5W€213W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16800pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1057,"22+":243}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205PBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205PBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3247pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@62A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":648,"18+":3152,"22+":36800,"MI+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9406-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7710pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205PBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205PBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3247pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@62A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9406-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7710pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86366-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6280pF@40V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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