品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFSL7540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:3.7V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4555pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@65A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"00+":1425,"18+":364,"95+":700}
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFP064N
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@59A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH110N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:157nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@55A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86563-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:163nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110N10-09-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP110N055T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3060pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86563-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:163nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS7540TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:3.7V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4555pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@65A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3247pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@62A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":589,"17+":606,"18+":445}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0601DPN-E0#T2
工作温度:150℃
功率:200W
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9403-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:213nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12700pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3247pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@62A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":648,"18+":3152,"22+":36800,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9406-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7710pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3812-ZP-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1.5W€213W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16800pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1057,"22+":243}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3247pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@62A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":648,"18+":3152,"22+":36800,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9406-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7710pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3247pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@62A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86563-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:163nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9406-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7710pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6280pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: